信息存储技术或迎来跨越式革命

我国科学家发现极限尺寸一维铁电存储结构

【瞧!我们的前沿科技】信息存储技术或迎来跨越式革命

本报北京1月23日电(记者崔兴毅)想象一下,将一万部高清电影或二十万段短视频,全部塞进一张邮票大小的设备里——这不是科幻,而是我国科学家的最新成果可能带来的真实未来图景。23日,中国科学院物理研究所金奎娟院士、葛琛研究员、张庆华副研究员联合团队在《科学》期刊上发表重要研究成果——首次在三维晶体中发现并操控“一维带电畴壁”,为下一代超高密度存储与人工智能芯片奠定了科学基础。这项成果不仅颠覆了传统认知,更意味着信息存储技术有望迎来从“二维平面”到“一维线”甚至“零维点”的跨越式革命。

在我们熟悉的磁铁中,无数个微小磁针指向同一方向,从而产生磁性。类似的,铁电材料内部存在无数个“电学指南针”,它们自发指向同一极化方向,形成正负电荷分离的结构。更神奇的是,这些“电针”的方向能用外部电场翻转,就像开关一样,因此铁电材料被誉为“信息存储的明星材料”。